전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SI7423DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET -30V, 7.4A, 18mR, 1.5W, SMT | 4989 | - | |
IRFSL11N50APBFFETs, MOSFETs | Vishay | 500V 11A N-Channel MOSFET, 550mR Rds On, TO-262 | 4955 | - | |
SQ4182EY-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 30V | 2021 | - | |
SIHB16N50C-E3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-Channel 500V | 재고 | - | |
SI7390DP-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 30V 9A 9.5mR 1.8W Surface Mount | 재고 | - | |
SIHB155N60EF-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs EF Series Power MOSFET D2PAK | 450 | - | |
SQS840EN-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHD186N60EFT1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
SQJA72EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 재고 | - | |
SQ2303CES-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRF820SPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 500V, 2.5A, 3R, D2PAK, SMD | 262 | - | |
SIE818DF-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CHANNEL 75-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | 재고 | - | |
SQJ262EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SUM50010EL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C | 727 | - | |
MXP120A045FL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | SiC MOSFETs 1200 V N-Channel SiC MOSFET | 재고 | - | |
SI7913DN-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, 20V, 5A, 37mR Rds On, 2-Ch, SMT | 재고 | - | |
VX60M153PW-M3/PFETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 60A,150V,TRENCH SCHOTTKY RECT. | 531 | - | |
SIR862DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | 2993 | - | |
SUP50010EL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 60V Vds 150A 375W TO-220 | 409 | - | |
SIHB28N60EF-T5-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SIHB28N60EF-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SI6954ADQ-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 30V 3.1A N-Channel MOSFET, 53mR Rds On, TSSOP | 3516 | - | |
SIA427DJ-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-Channel Power MOSFET, -8V, -12A, 16mR, Surface Mount | 89804 | - | |
SQJ431AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 2895 | - | |
IRFR320PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET | 8638 | - |