전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SIDR402DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 40V | 재고 | - | |
SI4155DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SO8 P CHAN 30V | 5015 | - | |
SQJ410EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8L, 4 PIN | 16321 | - | |
SIHFPS43N50K-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SPR247 500V 47A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SQ3460EV-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6 | 3007 | - | |
SI4447DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, -40V, 3.3A, 54mR Rds On, SOIC | 1488 | - | |
SIHK125N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V | 1800 | - | |
SQD100N03-3M4_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30V 100A 136W N-Channel MOSFET | 1638 | - | |
IRFBC30STRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 3.6A N-Channel MOSFET, 2.2 Ohm, D2PAK | 재고 | - | |
SQM120N06-3M5L_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 60V 120A N-Channel MOSFET, 3.5mR Rds On, TO-263 | 3203 | - | |
SQJ420EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIRA10DDP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8 | 4651 | - | |
SQJ444EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
IRFR214TRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 2.2A, 2R, TO-252 | 재고 | - | |
SQJ122ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQJ415EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 재고 | - | |
SIRS5700DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062 | 4559 | - | |
SI7423DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET -30V, 7.4A, 18mR, 1.5W, SMT | 4989 | - | |
SQJA04EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SQD50N04-5M6_T4GE3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 40V 50A 5.6mR 175C | 15019 | - | |
SQJ914EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
VX60M153PW-M3/PFETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 60A,150V,TRENCH SCHOTTKY RECT. | 531 | - | |
SIHB28N60EF-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
VN1210M-TAFETs, MOSFETs | Vishay | ROHS | 재고 | - | |
SQJ402EP-T2_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | PowerPAKSO-8 ROHS | 재고 | - |