전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SQJB70EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 2935 | - | |
SI4925BDY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | TRANSISTOR 5300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal | 49228 | - | |
SQ4435EY-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | 11271 | - | |
IRFBC40LPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 6.2A N-Channel MOSFET, 1.2 Ohm, TO-262 | 재고 | - | |
SQM40020E_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 770 | - | |
SQJ464EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 재고 | - | |
SQD100N04-3M6L_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified | 1534 | - | |
IRFR9010PBFFETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, 50V, 5.3A, 350mR, DPAK, Power | 6961 | - | |
IRFBC20SPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 2.2A N-Channel MOSFET, 4.4R Rds On, TO-263 | 재고 | - | |
SQJ481EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 2895 | - | |
IRFR224TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 250V | 재고 | - | |
IRFPF30PBFFETs, MOSFETs | Vishay | 900V 3.6A N-Channel MOSFET TO-247 3.7R RdsOn | 992 | - | |
SIHH240N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRF730STRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 400V 5.5A N-Channel MOSFET, 1 Ohm, TO-263 | 624 | - | |
SQJ460AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SQJA68EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 재고 | - | |
SQJ910AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 3000 | - | |
SIHB100N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V | 776 | - | |
MXP120A250FL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | SiC MOSFETs 1200 V N-Channel SiC MOSFET | 재고 | - | |
IRF840LCLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 500V, 8A, 850mR, TO-262 | 879 | - | |
SQJ844AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE | 재고 | - | |
SI6926ADQ-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TSSOP N CHAN 2.5V | 재고 | - | |
SI6423DQ-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TSSOP P CHAN 12V | 재고 | - | |
SQ4850CEY-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V | 10556 | - | |
SQJ960EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 60V 8A N-Channel MOSFET, 40mΩ Rds(on), Surface Mount | 78302 | - |