전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SIZF360DT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC | 재고 | - | |
SI7806ADN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 30V, 9A, 11mR, PowerPAK-8, Surface Mount | 재고 | - | |
SQ4840EY-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40V | 재고 | - | |
IRF624PBFFETs, MOSFETs | Vishay | 250V 4.4A N-Channel MOSFET TO-220AB 1.1R | 3054 | - | |
SQJ402EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 2668 | - | |
SQS142ENW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 37229 | - | |
IRFR320TRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 400V, 3.1A, 1.8R, TO-252 | 재고 | - | |
IRFU420APBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 500V, 3.3A, 3R, TO-251 | 1825 | - | |
SUD35N10-26P-T4GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2 | 재고 | - | |
SIHP125N60EF-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 589 | - | |
SIZ342ADT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Dual N-Channel 30V | 5311 | - | |
SQJ244EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L | 9000 | - | |
SQ4920EY-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Dual N-CHANNEL 30 V | 5726 | - | |
SIRA12DDP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8 | 5127 | - | |
SIHG190N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQJ910AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 3000 | - | |
SIRA34DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 30V 6.7mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | 3621 | - | |
IRFZ48RPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 60V, 50A, 18mR, TO-220 | 1704 | - | |
IRFR9210PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET | 8946 | - | |
SQA440CEJW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 30511 | - | |
SIHP690N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SIHK055N60E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 600V | 2011 | - | |
SIHW33N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | 230 | - | |
SIZ704DT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Dual N-Ch MOSFET 30V 13.5mR 16A PowerPair 6x3mm SMT | 재고 | - | |
SQD50P06-15L-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 60V 50A 15.5mΩ@10V,50A 136W 1.5V 1 P-Channel TO-252-2 ROHS | 4007 | - |