전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IRFR9024PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 P CHAN 60V | 8647 | - | |
IRF730BPBFFETs, MOSFETs | Vishay | TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power | 222 | - | |
SQS161ELNW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SI7370DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R | 46719 | - | |
IRFU224PBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 250V 3.8A 1.1R TO-251-3 | 1695 | - | |
SIZF360DT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC | 재고 | - | |
SQM40N10-30_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 100V 40A 107W AEC-Q101 Qualified | 1922 | - | |
SIS4406DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8 | 3015 | - | |
SIJK5100E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PWRPK 100V 417A | 재고 | - | |
IRFI634GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 5.6A, 450mR, TO-220 | 8014 | - | |
SQJ886EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SQJA86EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 2666 | - | |
IRL630STRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 200V, 9A, 400mR, D2PAK, SMD | 재고 | - | |
IRL520LPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 100V 9.2A 270mR TO-262 Through Hole | 121 | - | |
SQJ120EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRL620SPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 200V, 5.2A, 800mR, D2PAK, Surface Mount | 333 | - | |
SQA440CEJW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 30511 | - | |
SIHP690N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SIHK055N60E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 600V | 2011 | - | |
SIHW33N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | 230 | - | |
SIZ704DT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Dual N-Ch MOSFET 30V 13.5mR 16A PowerPair 6x3mm SMT | 재고 | - | |
IRFBC30SPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 3.6A N-Channel MOSFET D2PAK 2.2R | 재고 | - | |
SQJA26EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 5200 | - | |
IRLZ44STRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 60V, 50A, 28mR Rds(on), TO-263 | 재고 | - | |
SQJ560EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - |