전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SQJ186ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 80V D-S 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL , 12.5 mO 10V | 2690 | - | |
SIE802DF-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 30V 42.7A 1.9mR SMT | 재고 | - | |
IRFZ24SPBFFETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN | 526 | - | |
SISS32LDN-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWER P AKNC HAN80V | 재고 | - | |
SIE818DF-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 75V 16A N-CH MOSFET, 9.5mR Rds On, Surface Mount | 3553 | - | |
SIDR220EP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 25V | 6015 | - | |
SIZF906DDT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRF614STRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 2.7A, 2R, D2PAK, Surface Mount | 789 | - | |
SQS183ENW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQJQ100E-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified | 14000 | - | |
IRFU9020PBFFETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET 50V 9.9A 280mR TO-251 IPAK | 2521 | - | |
IRF840ASTRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 500V, 8A, 850mR, TO-263 | 1149 | - | |
SQJ146EP-T1_JE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQJB70EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 2935 | - | |
SI4925BDY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | TRANSISTOR 5300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal | 49228 | - | |
SIJA54ADP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 40V | 6005 | - | |
SIHU3N50D-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) | 재고 | - | |
IRFBC20SPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 2.2A N-Channel MOSFET, 4.4R Rds On, TO-263 | 재고 | - | |
SQJQ936E-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 1950 | - | |
IRFR224TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 250V | 재고 | - | |
SQ7415AENW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 52063 | - | |
SISS10ADN-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 40V | 2420 | - | |
SIHK100N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V | 1731 | - | |
SISF54DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRFR9014PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 P CHAN 60V | 8257 | - |