전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SI8818EDB-T2-E1FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 5950 | - | |
SI4214DDY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8 | 18346 | - | |
SQM35N30-97_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 300V, 0.097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | 1807 | - | |
SQD40030E_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified | 2811 | - | |
SIDR402EP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 6016 | - | |
SQJQ100E-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified | 14000 | - | |
IRFU9020PBFFETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET 50V 9.9A 280mR TO-251 IPAK | 2521 | - | |
IRF840ASTRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 500V, 8A, 850mR, TO-263 | 1149 | - | |
IRF530STRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 100V, 14A, 160mR, TO-263 | 2170 | - | |
SIR586DP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 80V | 재고 | - | |
SIHU3N50D-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) | 재고 | - | |
SQ4949EY-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 32435 | - | |
SI1499DH-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SC70 P CHAN 1.2V | 30812 | - | |
IRLR110TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET | 5540 | - | |
SI4862DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 16V 17A 3.3mR SO Surface Mount | 재고 | - | |
SIHG125N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V | 345 | - | |
SI6954ADQ-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TSSOP N CHAN 2.5V | 8280 | - | |
IRF730ASTRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 790 | - | |
SIHH100N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V | 2665 | - | |
SI4427BDY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | P-Channel JFET, 30V, 9.7A ID, 10.5mR Rds(on), SOIC | 재고 | - | |
SQJA84EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SI4408DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 20V 14A N-CH MOSFET SOIC N 4.5mR | 2049 | - | |
SIRS578DPW-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQS940ELNW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SI3443BDV-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP | 재고 | - |