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FET, MOSFET
(480 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 SQJA88EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
 SQD07N25-350H_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified | 5124 | - | |
 SIZF640DT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PWRPR N CHAN 40V | 11792 | - | |
 SQJ146EP-T1_JE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
 SIHA690N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET | 630 | - | |
 SIHG23N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 650V 158mOhms@10V 23A N-Channel | 782 | - | |
 SQJ423EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 4-Terminal MOSFET, 175°C, Single Element | 103130 | - | |
 SI4427BDY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-Channel JFET, 30V, 9.7A ID, 10.5mR RDS(on), SOP-8 | 79 | - | |
 SISH472DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH | 재고 | - | |
 SI7806ADN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 30V, 9A, 11mR, PowerPAK-8, Surface Mount | 재고 | - | |
 SIR514DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Unclassified | 재고 | - | |
 IRFSL11N50APBFFETs, MOSFETs | Vishay | 500V 11A N-Channel MOSFET, 550mR Rds On, TO-262 | 4955 | - | |
 IRFR320TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET | 24664 | - | |
 SIHA17N80AEF-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO220 800V 6.5A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
 SI7636DP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 30V | 재고 | - | |
 SIR584DP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 80V | 재고 | - | |
 SI2122DS-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
 IRLI520GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 100V, 7.2A, 270mR, TO-220 | 재고 | - | |
SQ3456CEV-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SIHD186N60EFT1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
SI7900AEDN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | TRANSISTOR 6 A, 20 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power | 8408 | - | |
 SIHG47N60AEL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 재고 | - | |
 IRF624SPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 250V 4.4A 1.1R D2PAK Surface Mount | 805 | - | |
IRFR9110TRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, 100V, 3.1A, 1.2 Ohm, TO-252, Surface Mount | 2268 | - | |
 SQ2301CES-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - |
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