전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SIRA34DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 30V 6.7mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | 3621 | - | |
SIZ904DT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 30V 16A N-CH MOSFET, 24mR RdsOn, 33W, 2-Ch, SMT | 재고 | - | |
IRLIZ34GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 60V, 20A, 50mR, TO-220 | 1263 | - | |
SQJB80EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK 8 x 8L | 재고 | - | |
SI3469DV-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET 20V 5A 30mR TSOP Surface Mount | 10117 | - | |
SQJ764ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQJ416EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHD11N80AE-T4-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SQS482EN-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHB080N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET, 80mO 10V | 4338 | - | |
SIHH190N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQD100N02-3M5L_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2 | 5850 | - | |
SQJB02ELP-T1_JE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SI4866DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC | 1830 | - | |
MXP120A080FL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | SiC MOSFETs 1200 V N-Channel SiC MOSFET | 600 | - | |
SI7956DP-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 150V 2.6A 105mR 2-CH N-CH MOSFET SOIC | 5393 | - | |
MXP120A045FL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | SiC MOSFETs 1200 V N-Channel SiC MOSFET | 재고 | - | |
SQJ868EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHP12N60E-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET | 3920 | - | |
SI7434DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 250V 2.3A 155mR Surface Mount | 6899 | - | |
SIR862DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | 2993 | - | |
SIHB28N60EF-T5-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SI6954ADQ-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 30V 3.1A N-Channel MOSFET, 53mR Rds On, TSSOP | 3516 | - | |
SIA427DJ-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-Channel Power MOSFET, -8V, -12A, 16mR, Surface Mount | 89804 | - | |
SQJ431AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 2895 | - |