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FET, MOSFET
(480 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 SI7884BDP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 40V | 재고 | - | |
 SQJ418EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
 SIJH402E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SIHK185N60EF-T1GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 1950 | - | |
 SI5441BDC-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 | 재고 | - | |
 SQJQ186ER-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 6383 | - | |
SQJ122EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
 IRFR220TRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel Power MOSFET, 200V, 4.8A, 800mR, TO-252 | 2940 | - | |
 SI7370DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R | 46719 | - | |
IRFR210TRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 200V, 2.6A, 1.5R, TO-252 | 재고 | - | |
 SQJA76EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 재고 | - | |
 IRFI740GLCPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 400V, 5.7A, 550mR, TO-220 | 4665 | - | |
SQJ476EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 2985 | - | |
IRFI614GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 2.1A, 2R, TO-220 | 828 | - | |
 SIHB100N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V | 776 | - | |
SIRA10DDP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8 | 4651 | - | |
SQJ122ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQJ415EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 재고 | - | |
 SIRS5700DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062 | 4559 | - | |
SQJ764ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQJ416EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
 SIHB080N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET, 80mO 10V | 4338 | - | |
SIHH190N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
 SIE808DF-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 20V 45A 1.6mR TrenchFET Surface Mount | 재고 | - | |
 SIHP125N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V | 850 | - |
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