전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IRFIBC20GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 600V, 1.7A, 4.4R, TO-220 | 1000 | - | |
SI7810DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212-8 T/R | 24967 | - | |
SQJQ150E-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101 | 3790 | - | |
SI7634BDP-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel Power MOSFET, 30V, 22.5A, 5.4mR Rds(on), Surface Mount | 재고 | - | |
SIHG32N50D-E3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 500V 32A 390W 150mOhm @ 10V | 456 | - | |
SQM120N06-3M5L_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 60V 120A N-Channel MOSFET, 3.5mR Rds On, TO-263 | 3203 | - | |
SI6423DQ-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TSSOP P CHAN 12V | 재고 | - | |
SQJ420EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHK125N60E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 600V | 3831 | - | |
SQ4850CEY-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V | 10556 | - | |
SQJ960EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 60V 8A N-Channel MOSFET, 40mΩ Rds(on), Surface Mount | 78302 | - | |
SIHD11N80AE-T4-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SQS482EN-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHK125N60EF-T1GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET | 2004 | - | |
SQD100N02-3M5L_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2 | 5850 | - | |
SQJB02ELP-T1_JE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SI4866DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC | 1830 | - | |
MXP120A080FL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | SiC MOSFETs 1200 V N-Channel SiC MOSFET | 600 | - | |
SIR514DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Unclassified | 재고 | - | |
SIHB125N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V | 800 | - | |
SIHG16N50C-E3FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | 349 | - | |
IRF634STRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 8.1A, 450mR, TO-263 | 377 | - | |
SQ3989EV-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 5935 | - | |
SQJ140ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 32797 | - | |
TN2404K-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - |