전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SI7121ADN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 20818 | - | |
MXP120A045FW-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | SiC MOSFETs 1200 V N-Channel SiC MOSFET | 재고 | - | |
SQJ446EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SI7900AEDN-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 2-Ch N-Ch MOSFET, 20V, 6A, 26mR, PowerPAK-8, SM | 2990 | - | |
SIB4122DK-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SIHB6N80AE-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Unclassified | 재고 | - | |
SQ3426CEV-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SI6913DQ-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TSSOP P CHAN 12V | 20997 | - | |
SQJ118ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
VX80153PW-M3/PFETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 80A,150V,TRENCH SCHOTTKY RECT. | 701 | - | |
IRL640STRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 200V, 17A, 180mR Rds On, D2PAK | 19204 | - | |
SISS5208DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 20V Vds +8 / -7 Vgs PowerPAK 1212-8S | 5950 | - | |
SQJQ160EL-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SUD50N03-06AP-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 30V 30A N-CH MOSFET, 5.7mR Rds On, TO-252, 10W | 2851 | - | |
SQJ951EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V | 51166 | - | |
SI1403BDL-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | TRANSISTOR 1400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal | 2574 | - | |
SISF54DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRFR9014PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 P CHAN 60V | 8257 | - | |
SIHP22N60AE-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | 재고 | - | |
IRFPC50LCPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 11A N-Channel MOSFET TO-247-3 | 재고 | - | |
SI7434DP-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 250V 2.3A 155mR SOIC Surface Mount | 재고 | - | |
SQM50N04-4M1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 40V 50A 150W AEC-Q101 Qualified | 1146 | - | |
SUD35N10-26P-T4GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2 | 재고 | - | |
SIHP125N60EF-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 589 | - | |
SIZ342ADT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Dual N-Channel 30V | 5311 | - |