전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
VX80153PW-M3/PFETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 80A,150V,TRENCH SCHOTTKY RECT. | 701 | - | |
IRL640STRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 200V, 17A, 180mR Rds On, D2PAK | 19204 | - | |
SISS5208DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 20V Vds +8 / -7 Vgs PowerPAK 1212-8S | 5950 | - | |
SIHFPS43N50K-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SPR247 500V 47A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
SI1499DH-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SC70 P CHAN 1.2V | 30812 | - | |
IRLR110TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET | 5540 | - | |
SI4862DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 16V 17A 3.3mR SO Surface Mount | 재고 | - | |
SIHG125N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V | 345 | - | |
IRFP048RPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 60V, 70A, 18mR, TO-247 | 재고 | - | |
SIE810DF-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | Dual N-Ch MOSFET, 20V, 1.4mR Rds(on), 45A, SOIC | 재고 | - | |
SIR582DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SOT669 N CHAN 80V | 11933 | - | |
SIS4406DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8 | 3015 | - | |
IRF730ASTRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 790 | - | |
SIHH100N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V | 2665 | - | |
SI4427BDY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | P-Channel JFET, 30V, 9.7A ID, 10.5mR Rds(on), SOIC | 재고 | - | |
SQJA84EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIJK5100E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PWRPK 100V 417A | 재고 | - | |
SQJQ160EL-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SUD50N03-06AP-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 30V 30A N-CH MOSFET, 5.7mR Rds On, TO-252, 10W | 2851 | - | |
IRFI634GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 5.6A, 450mR, TO-220 | 8014 | - | |
SQJ433EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
IRFBC20STRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 2.2A N-Channel MOSFET, 4.4R Rds On, D2PAK | 400 | - | |
SIHU6N80AE-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251) | 5520 | - | |
SIHP22N60AE-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | 재고 | - | |
SQ3460EV-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6 | 3007 | - |