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FET, MOSFET
(480 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 SQJ116EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
 IRFR420PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET | 8823 | - | |
 IRLZ44PBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 60V, 50A, 28mR Rds On, TO-220AB | 3252 | - | |
IRF840APBFFETs, MOSFETs | Vishay | 500V 8A N-Channel MOSFET TO-220AB | 1616 | - | |
 SI6415DQ-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | 5967 | - | |
 SI4463BDY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-Channel MOSFET, 9.8A ID, 20V Vdss, 11mR Rds On, SOIC-8 | 재고 | - | |
 SI7904BDN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 2-Ch N-Ch MOSFET, 20V, 6A, 30mR, PowerPAK-8 | 33497 | - | |
 SIR5812DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 80V | 재고 | - | |
 SQ4840CEY-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V | 2515 | - | |
 SQ3425EV-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-6 | 4078 | - | |
 SIHL630STRL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263) | 35 | - | |
 SQJ407EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SQ3410EV-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SQS462EN-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 2970 | - | |
IRFR220PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET | 5768 | - | |
IRF710STRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 400V, 2A, 3.6R, TO-263 Surface Mount | 재고 | - | |
 SQM200N04-1M1L_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 40V 200A, 375W AEC-Q101 Qualified | 5 | - | |
 SQJB60EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
 SIJ462DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 60V 8.0mOhm@10V 46.5A N-CH | 재고 | - | |
SQJ980AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
 SIHA690N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET | 630 | - | |
 SIHG23N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 650V 158mOhms@10V 23A N-Channel | 782 | - | |
 SQJ423EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 4-Terminal MOSFET, 175°C, Single Element | 103130 | - | |
SI6954ADQ-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TSSOP N CHAN 2.5V | 8280 | - | |
SQJA70EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - |
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