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책임 있는 품질
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기술 사양
장착 스타일
SMD/SMT
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current
81.2 A
Transistor Polarity
N-Channel
Qg - Gate Charge
15.2 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
시리즈
SISS
FAQ
SISS26LDN-T1-BE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SISS26LDN-T1-BE3은(는) 현재 1212-8S 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
SISS26LDN-T1-BE3은(는) 무엇인가요?
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