전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SI4922BDY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel JFET, 30V, 8A, 16mR Rds(on), 2-Ch, SOP-8 | 4441 | - | |
SIE812DF-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK | 재고 | - | |
SQ3456BEV-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0078A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6 | 102 | - | |
VX60M153PWHM3/PFETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 60A,150V,TRENCH SCHOTTKY RECT. | 962 | - | |
SI4128DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 30V 10.9A 24mR SO Surface Mount | 2968 | - | |
SQJ486EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHP16N50C-E3FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | 재고 | - | |
IRFR214TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 250V | 5986 | - | |
IRFIBC20GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 600V, 1.7A, 4.4R, TO-220 | 1000 | - | |
SQJ116EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRFR420PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET | 8823 | - | |
MXP120A250FW-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | SiC MOSFETs 1200 V N-Channel SiC MOSFET | 재고 | - | |
SIHK075N60E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET | 2003 | - | |
SIHP38N60E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 634 | - | |
SQJ260EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SI8401DB-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, 20V, 3.6A, 65mR RdsOn, SMD | 재고 | - | |
SI3458BDV-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel JFET, 60V, 4.1A, 100mR, TSOP, Surface Mount | 57809 | - | |
SQR40N10-25_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 100V 40A 136W AEC-Q101 Qualified | 876 | - | |
SIJ462DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET 60V 8.0mOhm@10V 46.5A N-CH | 재고 | - | |
SIR104ADP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 821 | - | |
IRF730SPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 400V, 5.5A, 1Ω, TO-263 | 재고 | - | |
IRFR224TRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 3.8A, 1.1Ω, TO-252 | 2876 | - | |
SIJ128LDP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 7091 | - | |
SQJ980AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SQ4840EY-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40V | 재고 | - |