전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SI2307BDS-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, 30V, 2.5A, 78mR, SOT-23-3, Small Signal | 52775 | - | |
SIR582DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SOT669 N CHAN 80V | 11933 | - | |
SQS178ELNW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SQS178ELNW | 2907 | - | |
SQ3456CEV-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 30V 175C MOSFET 35mO 10V, 52mO 4.5V | 5909 | - | |
SQJA37EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SQJ504EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 재고 | - | |
SQ4401EY-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 40V | 12579 | - | |
IRFBC20STRLPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 2.2A N-Channel MOSFET, 4.4R Rds On, D2PAK | 400 | - | |
SIHU6N80AE-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251) | 5520 | - | |
SIHH125N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V | 2775 | - | |
SQJ120ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRL630STRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 200V, 9A, 400mR Rds On, TO-263 | 800 | - | |
SIHP190N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SIHP100N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V | 900 | - | |
SQJ402EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 2668 | - | |
SQS142ENW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 37229 | - | |
IRFR320TRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 400V, 3.1A, 1.8R, TO-252 | 재고 | - | |
SQJ244EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L | 9000 | - | |
SQ4920EY-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Dual N-CHANNEL 30 V | 5726 | - | |
SIRA12DDP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8 | 5127 | - | |
SQJ840EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8L, 4 PIN | 3000 | - | |
SI4426DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 20V 6.5A 25mR SOIC N | 6227 | - | |
SQA450CEJW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
IRFR320PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET | 8638 | - | |
SIE808DF-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 20V 45A 1.6mR TrenchFET Surface Mount | 재고 | - |