전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SQJ184EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 3015 | - | |
SQJQ904E-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 40V, 0.0034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 3965 | - | |
SIE812DF-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK | 재고 | - | |
SQ3456BEV-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0078A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6 | 102 | - | |
VX60M153PWHM3/PFETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 60A,150V,TRENCH SCHOTTKY RECT. | 962 | - | |
SI1035X-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET N/P-CH 20V SC-89 | 6659 | - | |
SIR164ADP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | 2786 | - | |
SI3122DV-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 2900 | - | |
SI4936ADY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel JFET, 30V, 4.4A, 36mR RdsOn, SOIC-8 | 12176 | - | |
SUD35N10-26P-E3FETs, MOSFETs | Vishay | 100V 12A N-Channel Power MOSFET TO-252 26mR | 3166 | - | |
SISS30LDN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 3716 | - | |
SIR578DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 70.2A N-CH MOSFET | 5520 | - | |
SIHK105N60E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 600V | 1792 | - | |
SQ4153EY-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 12V | 9554 | - | |
IRLI540GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, FULL PACK-3 | 재고 | - | |
SQJA80EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
IRFBC30ALPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 3.6A N-Channel MOSFET TO-262 2.2R | 457 | - | |
SQJ443AEP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
VX80153PWHM3/PFETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 80A,150V,TRENCH SCHOTTKY RECT. | 975 | - | |
SI4128DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 30V 10.9A 24mR SO Surface Mount | 2968 | - | |
SIR608DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 4167 | - | |
SQJ486EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHP16N50C-E3FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | 재고 | - | |
IRFR214PBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 2.2A, 2R, DPAK, Surface Mount | 852 | - | |
IRFR214TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 250V | 5986 | - |