Vishay_SIHG190N65E-GE3
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Vishay
SIHG190N65E-GE3

2088-SIHG190N65E-GE3
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MOSFETs
18 Weeks

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

장착 스타일
SMD/SMT
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Id - Continuous Drain Current
20 A
ECCN
EAR99
Transistor Polarity
N-Channel
Channel Mode
Enhancement
Qg - Gate Charge
33 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
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FAQ

SIHG190N65E-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SIHG190N65E-GE3에 현재 표시된 표준 리드타임은 18 Weeks입니다.
SIHG190N65E-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SIHG190N65E-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SIHG190N65E-GE3은(는) 무엇인가요?
SIHG190N65E-GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
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