전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IRFIZ34GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 60V, 20A, 50mR Rds On, TO-220 | 1574 | - | |
SI1467DH-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SOT363 P CHAN 20V | 61623 | - | |
SQJA82EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 2980 | - | |
SQJ474EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SQR40N10-25_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 100V 40A 136W AEC-Q101 Qualified | 876 | - | |
SQJA88EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
IRF530STRRPBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 100V, 14A, 160mR, TO-263 | 2170 | - | |
SIR586DP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 80V | 재고 | - | |
SIR182LDP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | 8400 | - | |
SIHK065N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 재고 | - | |
SQ4435EY-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | 11271 | - | |
IRFBC40LPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 600V 6.2A N-Channel MOSFET, 1.2 Ohm, TO-262 | 재고 | - | |
SQM40020E_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 770 | - | |
SIE822DF-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay | N-CH MOSFET 20V 31A 3.4mR 104W Surface Mount | 재고 | - | |
SQJ464EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK SO-8L | 재고 | - | |
SQM40N10-30_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 100V 40A 107W AEC-Q101 Qualified | 1922 | - | |
SQD100N04-3M6L_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified | 1534 | - | |
IRFR9010PBFFETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, 50V, 5.3A, 350mR, DPAK, Power | 6961 | - | |
SQ4949EY-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 32435 | - | |
SI2307BDS-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, 30V, 2.5A, 78mR, SOT-23-3, Small Signal | 52775 | - | |
SQ3456CEV-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 30V 175C MOSFET 35mO 10V, 52mO 4.5V | 5909 | - | |
SQJA86EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 2666 | - | |
SQJA37EP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SIHK125N65E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V | 1800 | - | |
SIDR608EP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET | 6005 | - |