Vishay_SIHB100N65E-GE3
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Vishay
SIHB100N65E-GE3

2088-SIHB100N65E-GE3
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MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

구성
Single
Id - Continuous Drain Current
30 A
Channel Mode
Enhancement
Fall Time
32 ns
RoHS
RoHS Compliant
Qg - Gate Charge
41 nC
트랜지스터 유형
N-Channel Power MOSFET
패키지/케이스
D2PAK-3
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FAQ

SIHB100N65E-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SIHB100N65E-GE3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 - 30 V, + 30 V입니다.
SIHB100N65E-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SIHB100N65E-GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
SIHB100N65E-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SIHB100N65E-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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