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SI4447DY-T1-E3
2088-SI4447DY-T1-E3
PDF 데이터시트
P-CH MOSFET, -40V, 3.3A, 54mR Rds On, SOIC
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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
3.3A
Drain to Source Resistance
54mR
드레인-소스 전압(Vdss)
-40V
Drain-source On Resistance-Max
54mR
Fall Time
12ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
키
1.5mm
FAQ
SI4447DY-T1-E3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SI4447DY-T1-E3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 -40V입니다.
SI4447DY-T1-E3의 장착 방식은 무엇인가요?
SI4447DY-T1-E3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SI4447DY-T1-E3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SI4447DY-T1-E3은(는) 무엇인가요?
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