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Vishay
SI4463BDY-T1-GE3
2088-SI4463BDY-T1-GE3
PDF 데이터시트
P-Channel MOSFET, 9.8A ID, 20V Vdss, 11mR Rds On, SOIC-8
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SO
Continuous Drain Current (ID)
9.8A
Drain to Source Resistance
11mR
드레인-소스 전압(Vdss)
-20V
Fall Time
75ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
키
1.55mm
길이
5mm
FAQ
SI4463BDY-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
SI4463BDY-T1-GE3은(는) Vishay의 FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
SI4463BDY-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SI4463BDY-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SI4463BDY-T1-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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