전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IPA086N10N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3 | 14084 | - | |
IPB035N08N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 438 | - | |
BSZ018NE2LSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | 2568 | - | |
IPD90N03S4L-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 4192 | - | |
IPP057N08N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
IPB180N03S4L-01FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 | 2958 | - | |
IPB117N20NFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2 | 631 | - | |
IPP029N06NFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3 | 재고 | - | |
IPP530N15N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 21A TO220-3 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
BSC12DN20NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3 | 5693 | - | |
BSZ12DN20NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3 | 12 | - | |
IPP180N10N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 | 1012 | - | |
IAUCN10S7N040ATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | 재고 | - | |
IPA60R199CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP | 424 | - | |
ISZ033N03LF2SATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency | 5000 | - | |
IPL65R070C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | 2328 | - | |
SPW20N60S5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5 | 재고 | - | |
IPP65R310CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2 | 재고 | - | |
IPD053N06NFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2 | 2038 | - | |
BSZ050N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | 9658 | - | |
SPW47N65C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 | 159 | - | |
IPT004N03LFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | 1497 | - | |
BSP296N H6433FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | 2293 | - | |
BSZ160N10NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 30784 | - | |
BSC080N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3M | 20732 | - |