전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SPD09P06PL GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 9.7A DPAK-2 | 2150 | - | |
SPB20N60C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3 | 25734 | - | |
BSS214NW H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3 | 13066 | - | |
IPB011N04N GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 4747 | - | |
IPW65R190CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | 재고 | - | |
IPB80N04S3-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | 재고 | - | |
SPA16N50C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 16A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 재고 | - | |
IPP65R150CFDAFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO220-3 | 재고 | - | |
IPB020NE7N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 2000 | - | |
IPG20N10S4L-35FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | 5043 | - | |
IAUCN04S7N024DATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | 640 | - | |
IPW60R045CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | 재고 | - | |
SPP80P06P HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -80A TO220-3 | 447 | - | |
IPB50R140CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP | 912 | - | |
IPA50R350CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 10A TO220FP-3 CoolMOS CP | 재고 | - | |
BSC027N04LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 11214 | - | |
BSS138N H6433FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 139388 | - | |
BSZ068N06NSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | 3325 | - | |
IPB031N08N5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | 958 | - | |
IRF100PW219XKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V | 재고 | - | |
BSD214SN H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | 9012 | - | |
BSS159NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 5356 | - | |
IPB65R310CFDAFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 | 10004 | - | |
IPB014N06NFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 | 124 | - | |
IPD30N03S2L-20FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS | 재고 | - |