전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IPI80N04S4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | 27 | - | |
BSO080P03NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3 | 재고 | - | |
IPD031N03L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 2002 | - | |
IPD30N08S2-22FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS | 2889 | - | |
IMLT65R033M2HXTMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling | 286 | - | |
2N7002 H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 | 10597 | - | |
IPP060N06NFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3 | 500 | - | |
IPW60R070C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | 1485 | - | |
BSZ028N04LSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | 2772 | - | |
IPI076N12N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
IPB60R190C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6 | 972 | - | |
BSS169 H6906FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 | 42786 | - | |
IMT65R040M2HXUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 200 | - | |
BSZ180P03NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 4989 | - | |
SP001058824FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | 3235 | - | |
IPD22N08S2L-50FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS | 4927 | - | |
ISZ056N03LF2SATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency | 5000 | - | |
BSP171P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | 2944 | - | |
IPB123N10N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 1007 | - | |
BSC028N06NSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 7521 | - | |
IPB60R299CPAFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA | 재고 | - | |
BSC024NE2LSXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 재고 | - | |
IPG20N04S4L-07FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | 2648 | - | |
IPB60R160C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6 | 재고 | - | |
IPT023N10NM5LF2ATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | 1930 | - |