전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SPW24N60CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD | 275 | - | |
BSS806NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 9433 | - | |
BSP316P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3 | 15362 | - | |
IPW60R165CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP | 219 | - | |
IPB180P04P4L-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2 | 122 | - | |
IPL65R099C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | 재고 | - | |
SPD50P03L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P | 2158 | - | |
BSS123NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | 재고 | - | |
BSC009NE2LSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 1624 | - | |
BSC016N04LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 755 | - | |
IAUMN10S5N017GAUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | 재고 | - | |
IPP052N06L3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | 500 | - | |
IPD640N06L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 18A DPAK-2 | 1668 | - | |
IPD90P03P4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 13417 | - | |
IPP60R280E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6 | 재고 | - | |
IPG20N04S4L-11AFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | 재고 | - | |
IPB60R125C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6 | 1133 | - | |
IPP60R380E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6 | 재고 | - | |
BSP613P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 | 247809 | - | |
IPB020N04N GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 899 | - | |
SPP11N80C3XKFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 | 79 | - | |
SPD08P06PGXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 | 22457 | - | |
IPB100N04S4-H2FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 895 | - | |
BSC031N06NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 89 | - | |
IAUTN08S5N012LATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | 1690 | - |