전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SP000934758FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | 재고 | - | |
BSO130P03S HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -11.3A DSO-8 OptiMOS P | 재고 | - | |
2N7002DWH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | 14370 | - | |
IPB320N20N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 2346 | - | |
IPL60R210P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM | 3035 | - | |
IPP041N12N3GXKFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
BSO201SP HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | 1907 | - | |
IPP100N04S3-03FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T | 140 | - | |
SP000934752FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TISON-8 | 재고 | - | |
IPI60R125CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP | 재고 | - | |
IPD038N06N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 158 | - | |
BSS159N H6906FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 44204 | - | |
BSP318S H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3 | 30553 | - | |
IPG20N06S4L-11FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | 5300 | - | |
IPB80P04P4L-08FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | 재고 | - | |
IPA60R125C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6 | 315 | - | |
BSC016N03LSGXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
IPP60R190C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6 | 6429 | - | |
BSZ086P03NS3E GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 1616 | - | |
IPW60R099C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | 272 | - | |
BSC082N10LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | 1325 | - | |
BSC014N06NSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS | 16836 | - | |
IPD35N10S3L-26FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | 9558 | - | |
IPA60R190C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 | 5004 | - | |
IPB600N25N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 1676 | - |