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양극성(BJT)
(1352 결과)BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 BCY59-X TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Trans 45Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 340mW | 재고 | - | |
 PN3563 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 12V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator | 재고 | - | |
 2N4231A PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 5.0A 75W | 재고 | - | |
PN930 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
 2N5961 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 60Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW | 재고 | - | |
 PN4916 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW | 재고 | - | |
PN5134 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20Vcbo 10Vceo 3.5Vebo 10mA 4.0pF | 재고 | - | |
2N3395 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 360mW | 재고 | - | |
2N2714 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.0Vebo 18Vcb | 재고 | - | |
2N6312 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 5.0A 75W | 재고 | - | |
2N3415 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
 2N3107 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 60Vceo 7.0Vebo 20pF | 재고 | - | |
2N3711 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N5209 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
PN5128 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 15Vcbo 12Vceo 3.0Vebo 10mA 10pF | 재고 | - | |
2N3906 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 7730 | - | |
2N4125 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPSA05 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 60Vceo 4.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
2N5954 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 90Vcbo 90Vcev 85Vcer 80Vceo 40W | 재고 | - | |
PN2369A APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 15V,200mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Saturated Switch | 재고 | - | |
 GES6017 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 70Vcbo 60Vces 5.0Vebo 500mA 15pF | 재고 | - | |
2N5336 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 5.0A 6W | 재고 | - | |
2N5223 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 10mA 4pF | 2325 | - | |
2N3710 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 1169 | - | |
2N5262 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 75cbo 50Vceo 5.0Vebo 2.0 1.0W | 재고 | - |
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