BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
2N3711 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW | 재고 | - | |
PN3567 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N3905 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
PN3566 TRC PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | 재고 | - | |
2N4424 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
PN2222A APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 재고 | - | |
MPS6535 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 100mA 7.0pF | 재고 | - | |
PN4355 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS6522 TRA PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 50mA 3.5pF | 재고 | - | |
2N5323 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 75Vcbo 75Vceo 50Vceo 5.0V 10W | 재고 | - | |
PN918 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 15V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator | 재고 | - | |
2N5209 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N4125 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 200mA 625mW | 재고 | - | |
BC107B PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA | 693 | - | |
2N5956 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 5.0Vebo 40W | 재고 | - | |
MPS6523 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 50mA 3.5pF | 재고 | - | |
2N2712 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.0Vebo 18Vcb 2.8dB | 재고 | - | |
2N3707 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW | 재고 | - | |
MPSA94 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 400V,300mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | 재고 | - | |
MPS3826 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 4.0Vebo 10mA | 재고 | - | |
2N3904 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW | 5139 | - | |
BCY79 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 45Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W | 재고 | - | |
2N5822 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 재고 | - | |
CMUT5179 TR TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | RF Bipolar Transistors 20Vcbo 15Vceo 2.5Vebo 50mA 250mW | 재고 | - | |
CMST5087 TR PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SSM Transistor | 2924 | - |