영어
독일 사람
일본어
포르투갈 인
멕시코
네덜란드 사람
양극성(BJT)
(1352 결과)BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 PN5137 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 150mA 35pF | 재고 | - | |
2N3704 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA HFE/300 | 재고 | - | |
 MPS6518 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N3393 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
 2N6301 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W | 재고 | - | |
 2N4407 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Bipolar 80V PNP 2.0A 8.75W 50pF Trans | 83 | - | |
2N3711 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
BC212B TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans 50Vcbo 200 mA Ic 350 mW | 재고 | - | |
PN3638A TRC TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 300mA 10pF | 재고 | - | |
2N2924 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N5955 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vcev 65Vcbo 70Vcev 40W | 재고 | - | |
 CMXT3946 TR TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 200mA 350mW | 재고 | - | |
 2N5366 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 300mA | 재고 | - | |
2N1700 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SS Power | 재고 | - | |
2N5785 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Switch SS | 184 | - | |
BF393 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | 재고 | - | |
PN4250 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vces 60Vceo 5.0Vebo 500mA | 재고 | - | |
MPS8097 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW | 재고 | - | |
2N2925 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
MPS6566 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS751 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,2A,625mW Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N4256 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transis tor-Small Signal (< | 재고 | - | |
2N5209 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
MPS6602 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 1000mA 50pF | 재고 | - | |
PN3646 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SS Transistor | 187 | - |
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
