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양극성(BJT)
(1352 결과)BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 2N5338 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 6.0Vebo 5.0A 6W | 재고 | - | |
 PN5818 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 재고 | - | |
2N5322 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W | 재고 | - | |
2N5681 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 4.0Vebo 1.0A 1.0W | 재고 | - | |
 BC182 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Noise 50Vceo 60Vcbo 100mA | 재고 | - | |
 CTLT3410-M621 TR PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 0.9W | 1395 | - | |
MM3007 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 250mA 15pF | 재고 | - | |
PN3644 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SW | 248 | - | |
BC327-25 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 45 Vceo 500mA 625mW Trans | 재고 | - | |
 2N4233A PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 3.0A 25W 90Vcbo 80Vceo 2.0V 3.0A | 재고 | - | |
 2N3962 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 6.0pF | 재고 | - | |
2N2907 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5V 0.5A 400mW | 재고 | - | |
2N4898 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | 재고 | - | |
2N5400 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp | 4297 | - | |
PN3645 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N5818 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vces 40Vceo 5.0Vebo 625mW | 재고 | - | |
2N3903 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
 CMST5086 BK PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW | 재고 | - | |
 BFY90 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | RF Bipolar Transistors NPN RF 30Vcbo 30Vcer 15Vceo 25mA | 재고 | - | |
2N3839 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 15Vceo 2.5V 40mA 200mW | 재고 | - | |
MPS6521 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
 MPS3415 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
PN3568 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
PN4355 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
 2N5400 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 130Vcbo 120Veo 5.0Vebo 625mW | 2252 | - |
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