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양극성(BJT)
(1352 결과)BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 2N3396 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 360mW | 재고 | - | |
 2N5225 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 재고 | - | |
2N5249 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS6566 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 1814 | - | |
CMPT3410 TR PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 350mW | 재고 | - | |
PN4275 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 12Vces 4.5Vceo 100mA 4.0pF | 재고 | - | |
2N4424 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
PN3694 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 45Vceo 4.0Vceo 300mA 6.0pF | 재고 | - | |
2N6520 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 350Vcbo 350Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW | 재고 | - | |
PN2369A APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 15V,200mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Saturated Switch | 재고 | - | |
2N5447 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
 2N3713 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN GP Power | 140 | - | |
 PN3565 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 6.0Vebo 50mA 625mW | 재고 | - | |
2N6515 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | 재고 | - | |
 2N1613 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 50Vcer 7.0Vebo 500mA 3.0W | 재고 | - | |
PN5143 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 20Vcbo 20Vceo 4.0Vebo 300mA 10pF | 재고 | - | |
PN5138 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 7pF | 재고 | - | |
2N5786 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45Vcbo 40Vceo 3.5Vebo 2.0V | 재고 | - | |
PN2222A APP TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW | 재고 | - | |
2N5088 APP TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | 재고 | - | |
 2N6374 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 40Vceo 40W | 재고 | - | |
2N5770 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 15Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | 재고 | - | |
MPS6562 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
PN4033 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,1A,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current | 재고 | - | |
MPS8097 TRA PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW | 재고 | - |
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