BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
2N3903 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS8098 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N3964 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 45Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 6pF | 재고 | - | |
PN2907A TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS3721 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.0Vebo 2.0mA | 재고 | - | |
BF393 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage 300Vceo 300Vcbo | 재고 | - | |
MPS6531 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N5551 TRA TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW | 재고 | - | |
2N5880 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V 15A PNP | 42 | - | |
CZT853 TR PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 200Vcbo 100Vceo 6.0Vebo 6.0A 3.0W | 재고 | - | |
2N5375 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,500mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
CMLTA44 TR PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vcbo 400Vceo 6.0Vebo 300mA 250mW | 재고 | - | |
2N3709 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N3705 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 재고 | - | |
2N4401 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N5962 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
PN4250A TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vces 60Vceo 5.0Vebo 500mA | 재고 | - | |
MPSA18 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
BCY58-VIII PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W | 1833 | - | |
BCY58-VIII TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W | 재고 | - | |
2N4124 APP TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW | 재고 | - | |
MPSA20 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 21426 | - | |
MPS750 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Complementary Trans 60Vcbo 40Vceo | 7177 | - | |
MPS3702 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 50mA 12pF | 재고 | - | |
CZT3904 TR TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 2.0W | 재고 | - |