BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
MPSA20 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vceo 4.0Vebo 100mA 625mW 4pF | 재고 | - | |
MPS6522 TRA TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 50mA 3.5pF | 재고 | - | |
2N2926 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo NPN Low Noise 25Vceo 120Mhz 10pF | 1437 | - | |
MPSA94 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 400V,300mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | 재고 | - | |
BCY58-X TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W | 재고 | - | |
BCY58-X PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W | 1444 | - | |
TIP29A SL TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 5.0Vebo 40Vceo 1A 30W | 재고 | - | |
2N6314 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 5.0A 75W | 재고 | - | |
MPS6515 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2SC1815-O TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 150mA 400mW | 1759 | - | |
BC212A TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans 50Vcbo 300mA Ic 625mW | 재고 | - | |
2N1700 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 100mA 4.0V | 재고 | - | |
2N4953 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 1A | 재고 | - | |
MPS650 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,2A,625mW Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
D29E6 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current | 재고 | - | |
2N5961 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SW | 2922 | - | |
CZT751 TR TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 2.0A 2.0W | 재고 | - | |
2N5050 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W | 재고 | - | |
MPS6514 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N4030 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 20pF | 재고 | - | |
MPS3710 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 재고 | - | |
2N5817 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
PN3644 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N5415 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 200Vcbo 200Vceo 4.0Vebo 1.0A 1W | 재고 | - | |
MPS8598 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - |