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양극성(BJT)
(1352 결과)BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 2N4410 APP TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 5.0pF 250mA | 재고 | - | |
BC309B PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | 재고 | - | |
 2N1481 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SS Power | 재고 | - | |
PN6010 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 10pF | 재고 | - | |
PN3566 TRG TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | 재고 | - | |
MPS650 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,2A,625mW Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
BC327-25 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N2926 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,200mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N6518 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | 재고 | - | |
2N3417 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS6518 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 625mW 1.5W 100mA | 재고 | - | |
2N6516 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW | 재고 | - | |
MPS404A TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 35V,150mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Chopper | 재고 | - | |
2N3711 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
 CMPT4033 TR TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 500mA 350mW | 재고 | - | |
2N5356 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 350mA 360mW | 재고 | - | |
2N3391A TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
CZTA46 TR PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Extremely High Voltage | 재고 | - | |
 2N5786 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch | 120 | - | |
2N4123 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N5223 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 10mA 4pF | 재고 | - | |
2N5823 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current | 재고 | - | |
PN4355 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SW | 2397 | - | |
2N5365 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N3903 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 200mA 625mW | 재고 | - |
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