BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
CXT2222A TR TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 1.2W Trans | 재고 | - | |
2N3722 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 10pF | 재고 | - | |
2N6518 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | 재고 | - | |
MPSH10 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | RF Bipolar Transistors NPN RF Amp/Osc | 612 | - | |
PN3642 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
2N5086 APP PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | 재고 | - | |
BC184B TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,300mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N6428 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
MPS3392 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 94 | - | |
2N3905 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS2369 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Saturated Switch | 재고 | - | |
MPS2369 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | 재고 | - | |
2N3134 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 35Vceo 4.0Vebo 150mA 10pF | 223 | - | |
2N3496 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 4.0Vebo 7.0pF | 재고 | - | |
2N4125 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N6518 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW | 재고 | - | |
2N4233A TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 3.0A 25W 90Vcbo 80Vceo 2.0V 3.0A | 재고 | - | |
2N4289 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 8.0pF 4.0dB | 재고 | - | |
2N4058 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | 재고 | - | |
2N6519 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | 재고 | - | |
MPS6520 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
D29E6 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transis tor-Small Signal (< | 재고 | - | |
2N3398 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 360mW | 재고 | - | |
2N3702 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N4400 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - |