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FET, MOSFET
(206 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 SI7894ADP-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 25A 1.9W | 재고 | - | |
 IRF640PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET | 5367 | - | |
 SQS146ENW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
 SQ3426CEEV-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 3875 | - | |
 SUD50N04-06H-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V | 재고 | - | |
 SI4382DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 4.7mohm @ 10V | 재고 | - | |
 SIR576DP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V | 재고 | - | |
SQS110ENW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 5585 | - | |
 SQJA36EP-T1_JE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 3821 | - | |
 SIR680LDP-T1-UE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 재고 | - | |
SI4662DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V | 재고 | - | |
 SQJB48EP-T1_JE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 2850 | - | |
 SQJ746ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 2565 | - | |
SI4662DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 18.6A 6.25W | 재고 | - | |
 SQD40061EL-T4_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 2475 | - | |
 SISS5708DN-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 23 m 10V | 5950 | - | |
SI7444DP-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 23.6A 1.9W | 20021 | - | |
SI4334DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 14.8A 5.2W | 재고 | - | |
SISS30LDN-T1-UE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 8.5 m 10V 12.2 m 4.5V | 5890 | - | |
SUD54P04-23-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 23mohm @ 10V | 재고 | - | |
SIR5712DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 55.5 mohm a. 10V 62.4 mohm a. 7.5V | 11549 | - | |
 SQJQ148E-T1_JE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 1585 | - | |
 SIRS4400DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 40V | 1187 | - | |
SISS5810DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | 재고 | - | |
 SQJQ114EL-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - |
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