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FET, MOSFET
(206 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 SIS9122DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 재고 | - | |
 SIHD7N60ET-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | 재고 | - | |
 SIR5208DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) 150C MOSFET | 재고 | - | |
 IRF520PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET | 3759 | - | |
 SIZF918BDT-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY | 재고 | - | |
IRFR9024TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 P CHAN 60V | 15142 | - | |
SI7684DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V | 364 | - | |
SIHF30N60E-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK | 27002 | - | |
 SQJ185ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 2 | - | |
SI7864ADP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | 재고 | - | |
 SIHR100N60EF-T1GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 재고 | - | |
 SQ2362CES-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 6200 | - | |
 SIR582DP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V | 재고 | - | |
 SIR4156LDP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 재고 | - | |
 SI3443CVD-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 4.7A 3.2W | 재고 | - | |
 SIHFU120-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 2995 | - | |
SIR4406DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 4.75 mohm a. 10V, 6.7 mohm a. 4.5V | 11758 | - | |
 IRFL110TRPBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET | 50517 | - | |
 SQA460CEJW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SI7894ADP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V | 재고 | - | |
 SI4803DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 5.0A 3.0W 65mohm @ 4.5V | 2484 | - | |
 SI7962DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V | 재고 | - | |
SIR570DP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET | 재고 | - | |
SIRA60DDP-T1-UE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | 재고 | - | |
SI3403DV-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 5.0A 3.2W 70mohm @ 4.5V | 6212 | - |
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