전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
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SIJ4409DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | 재고 | - | |
SQJ738EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 2875 | - | |
SI7973DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V | 재고 | - | |
SIHFR220-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) | 8577 | - | |
SIHG30N60AEL-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG | 재고 | - | |
SQ2319CES-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | 5227 | - |