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FET, MOSFET
(206 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 IRF9640PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET | 3174 | - | |
 SIR5607DP-T1-UE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 2780 | - | |
 SI6991DQ-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 4.2A 0.83W | 재고 | - | |
SI6926AEDQ-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 4.5A 0.83W | 재고 | - | |
 SQJQ140ER-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8LR, 0.65 mohm a. 10V | 4909 | - | |
 SI3973DV-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V | 재고 | - | |
 SIRS5702DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 재고 | - | |
 SI4382DY-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 4.7mohm@10V | 2294 | - | |
SI3471CDV-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V | 재고 | - | |
 SQAA42CEJW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
 SQ2308FES-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | 11483 | - | |
 SIHR100N60E-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs | 1890 | - | |
 SQ2337CES-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 11750 | - | |
IRFBG30PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET | 9202 | - | |
SI4334DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 14.8A 5.2W 13.5mohm @ 10V | 재고 | - | |
 SIHD240N65E-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 650V | 2950 | - | |
SI4304DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V | 재고 | - | |
 SIR514DP-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V | 재고 | - | |
SI4638DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V | 재고 | - | |
SIHFIB16N50K-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V 6.7A 45W 350mohm @ 10V | 6118 | - | |
 SQS146ELNW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 1684 | - | |
SI3435DV-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V | 6211 | - | |
 SQJ118EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | 재고 | - | |
SI6441DQ-T1-E3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 8.0A 1.08W | 재고 | - | |
IRF740PBF-BE3FETs, MOSFETs | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET | 14982 | - |
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