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메모리 IC 제품
(3884 결과)메모리는 집적 회로에서 데이터 저장 장치로 사용되는 반도체 장치입니다. 이러한 장치는 비휘발성 또는 휘발성의 CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, 플래시, FRAM, NVSRAM, PCM(PRAM), PSRAM, RAM 및 SRAM의 여러 형식으로 제공됩니다. 이 장치의 메모리 크기는 64b ~ 6Tb이며 인터페이스는 I2C, MMC, 병렬, eMMC, 직렬, 단일 와이어, SPI, UFS, Xccela 버스 및 1-Wire입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 K7R323682C-FC20Memory ICs Products | SAMSUNG | 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR II b2 SRAM | 9016 | - | |
 K4T51043QC-ZCD5Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60 | 재고 | - | |
 K4D263238G-GC33Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 4MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144 | 4219 | - | |
 K6T1008C2E-TB70Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | 재고 | - | |
 K6T1008C2E-RB70Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 | 재고 | - | |
 K6X1008T2D-GF55Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4H561638D-TCA2Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | 재고 | - | |
 K6X4008C1F-GF70Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | 29008 | - | |
 K4S643232E-TC70Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 | 2420 | - | |
 K6R4004C1D-JC10Memory ICs Products | SAMSUNG | 16108 | - | ||
 K9F2808U0A-YCB0Memory ICs Products | SAMSUNG | Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 | 재고 | - | |
 K4H511638C-UCB3Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, | 25018 | - | |
 K4H560438E-TCB0Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | 17019 | - | |
 K6R4008V1D-KI10Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36 | 재고 | - | |
 K9F1208U0C-PIB0Memory ICs Products | SAMSUNG | NAND Flash Parallel 3.3V 512M-bit 64M x 8 48-Pin TSOP-I Tray | 6779 | - | |
 KMFJ20005C-A213Memory ICs Products | SAMSUNG | eMCP eMMC + DRam | 788 | - | |
KMK5X000VM-B314001Memory ICs Products | SAMSUNG | eMCP eMMC + DRam | 재고 | - | |
 K9LCGD8U1M-HCE0Memory ICs Products | SAMSUNG | 64Gb(8GB) DDR NAND Flash MLC | 191 | - | |
 K7B201825A-QC80Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | 재고 | - | |
 KFG5616U1A-DIB5Memory ICs Products | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 14.5ns, PBGA67 | 재고 | - | |
K6F2016U4A-ZF10000Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 128Kx16-100 Super LP | 재고 | - | |
KAT007015M-BETTT00Memory ICs Products | SAMSUNG | eMCP eMMC + DRam | 재고 | - | |
K7R641884M-FC20Memory ICs Products | SAMSUNG | QDR II SRAM 4Mx18 165 FBGA | 재고 | - | |
K6F2016U4E-EF70T00Memory ICs Products | SAMSUNG | 2Mb SRAM 128Kx16-7 | 재고 | - | |
K7J321882C-EC30Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR2 SRAM 2Mx18 | 재고 | - |
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