전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SPB80P06P GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2 | 12272 | - | |
GS-065-018-6-LR-TRFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability | 재고 | - | |
SPW24N60C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3 | 332 | - | |
IPI60R190C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6 | 1374 | - | |
IPA075N15N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
BSC0925NDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TISON-8 | 7298 | - | |
BSC080P03LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 16A TDSON-8 OptiMOS P | 4714 | - | |
IPA60R125P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | 482 | - | |
IPW60R099CPAFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | 227 | - | |
IPW65R080CFDAFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 | 575 | - | |
IPP60R199CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP | 736 | - | |
IPA65R380C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6 | 480 | - | |
ISP16DP10LMAXTSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs | 500 | - | |
IPP110N20N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 | 1007 | - | |
2N7002H6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 | 34985 | - | |
BSZ100N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | 4375 | - | |
IPB067N08N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 90 | - | |
IPP100N08S2-07FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS | 272 | - | |
IMZA65R060M2HXKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 | 385 | - | |
IPD50N04S3-09FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T | 재고 | - | |
BSC059N04LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3 | 2526 | - | |
IPB60R099CPAFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA | 3904 | - | |
GS-065-014-6-L-TRFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability | 재고 | - | |
IPI120N04S4-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | 488 | - | |
IPP80N03S4L-03FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | 242 | - |