전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IPA60R950C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 4.4A TO220FP-3 CoolMOS C6 | 721 | - | |
IPD50N04S4-10FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 3730 | - | |
BSC0901NSIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 | 2208 | - | |
BSC265N10LSF GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 95 | - | |
AUIRF540ZXKMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | 재고 | - | |
BSC047N08NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 1477 | - | |
IPB035N10NF2SATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V | 재고 | - | |
BSZ15DC02KD HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | 15234 | - | |
IPD65R950C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 4.5A DPAK-2 | 재고 | - | |
IMT65R026M2HXUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 200 | - | |
IPD70P04P4-09FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 재고 | - | |
BSC252N10NSFGXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 5247 | - | |
BSD840N H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | 34621 | - | |
IPZ65R065C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | 231 | - | |
SPW20N60CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD | 528 | - | |
IPD90N04S4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 2330 | - | |
BSB028N06NN3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3 | 재고 | - | |
IPB60R380C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6 | 재고 | - | |
IPB80N04S4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 1759 | - | |
BSC500N20NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8 | 4967 | - | |
IPB037N06N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 928 | - | |
BSZ0902NSIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | 10278 | - | |
BSO080P03S HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | 4240 | - | |
IAUMN04S7N011GATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | 재고 | - | |
IPW60R099P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | 170 | - |