전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IPA60R299CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP | 477 | - | |
BSC066N06NSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | 3986 | - | |
IMBG65R010M2HXTMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 500 | - | |
IPW60R280P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | 185 | - | |
BSC098N10NS5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5 | 12621 | - | |
BSC034N03LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 7501 | - | |
IPW65R065C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | 154 | - | |
IPG20N06S2L-35FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS | 4862 | - | |
BCV 47 E6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | Darlington Transistors AF Trans Darlington NPN 60V 0.5A | 13984 | - | |
GS-065-030-6-LL-TRFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability | 재고 | - | |
IAUMN04S7N009GATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | 재고 | - | |
BSC097N06NSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8 | 9387 | - | |
BSD235NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | 138275 | - | |
BSC019N02KS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | 19716 | - | |
IPP60R299CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP | 404 | - | |
SPP04N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 | 771 | - | |
ISG0614N06NM5HSCATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | 20 | - | |
IPW65R420CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2 | 재고 | - | |
IPB025N08N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 7460 | - | |
IPB010N06NFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 | 712 | - | |
BSC123N10LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 | 24683 | - | |
BSC040N10NS5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 | 6005 | - | |
IPA60R190E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6 | 413 | - | |
IPW65R041CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | 199 | - | |
SPA11N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 1100 | - |