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FET, MOSFET
(807 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 IPW65R280C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 | 62 | - | |
 IPA60R280P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 | 106 | - | |
 IPD80P03P4L-07FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 재고 | - | |
 IPI50N10S3L-16FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T | 재고 | - | |
IPD65R190C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | 1400 | - | |
 BSL215C H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | 38479 | - | |
 BSZ16DN25NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 | 9852 | - | |
 IPP042N03L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | 10893 | - | |
 BSS306NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | 재고 | - | |
 BSP125 H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | 6720 | - | |
 BSC0904NSIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS | 39273 | - | |
 BSD840NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | 16576 | - | |
 IPB70N10S3-12FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 222 | - | |
IPP126N10N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3 | 60 | - | |
BSC150N03LD GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3 | 3888 | - | |
IPW50R140CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP | 재고 | - | |
 IMW65R060M2HXKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 | 390 | - | |
IPP65R190C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | 546 | - | |
 IPI111N15N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 83A I2PAK-3 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
IPP60R125P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | 460 | - | |
BSP296N H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 | 3562 | - | |
 AIMCQ120R160M1TXTMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC_DISCRETE | 400 | - | |
 BSS225 H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 | 6133 | - | |
 IPB107N20NAXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 | 3847 | - | |
 IPL60R199CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP | 1009 | - |
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