전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3GXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 3313 | - | |
SPD08P06P GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 | 48069 | - | |
BSP89 H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA | 27 | - | |
SPW15N60C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 15A TO247-3 CoolMOS C3 | 26 | - | |
IPP80N06S4L-07FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | 37503 | - | |
BSS215P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 | 19861 | - | |
IPB80P04P4L-06FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | 재고 | - | |
BSP297 H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | 9990 | - | |
IPA65R110CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO220FP CoolMOS CFD2 | 400 | - | |
BSP92P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4 | 4824 | - | |
BSS139H6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3 | 13553 | - | |
IPA50R140CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP | 683 | - | |
BSP372N H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | 1784 | - | |
IPA65R190E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6 | 재고 | - | |
BSZ035N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | 8371 | - | |
IPG20N10S4L-22AFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | 4882 | - | |
IMZA65R010M2HXKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 | 330 | - | |
IPB180N04S4-01FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 | 9427 | - | |
IMWH170R450M1XKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | 462 | - | |
IPB100N04S3-03FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T | 재고 | - | |
BSZ018NE2LSIXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS | 재고 | - | |
IPA65R095C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | 251 | - | |
SPD04P10PL GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -100V 4.2A DPAK-2 | 12469 | - | |
IPA65R150CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3 | 398 | - | |
SPA11N65C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 재고 | - |