전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SPA06N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 3198 | - | |
IPG20N04S4L-11FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | 18763 | - | |
BSC018N04LSGXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
BSP315P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3 | 1789 | - | |
IPD90N04S4-05FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 2027 | - | |
BSZ058N03LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 3739 | - | |
AIMCQ120R040M1TXTMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC_DISCRETE | 재고 | - | |
IPW60R125P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | 재고 | - | |
BSF134N10NJ3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A CanPAK3 SJ OptiMOS 3 | 4456 | - | |
IPI120N04S3-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T | 재고 | - | |
BSS606N H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3 | 7618 | - | |
BSZ130N03LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 4988 | - | |
IMBG65R033M2HXTMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 500 | - | |
IPW50R250CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP | 216 | - | |
BSC100N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M | 1702 | - | |
BSC067N06LS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | 50412 | - | |
IPP120N04S4-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2 | 재고 | - | |
BSZ150N10LS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | 7103 | - | |
BSZ0901NSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | 6539 | - | |
BSS205NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3 | 8170 | - | |
IPB35N10S3L-26FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T | 287 | - | |
IPP040N06N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 | 150 | - | |
IPB015N04L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
BSO040N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M | 12690 | - | |
IPW60R075CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | 149 | - |