전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SPW17N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 | 453 | - | |
IPP80N04S4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | 487 | - | |
BSZ050N03LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 8657 | - | |
BSC060N10NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | 28590 | - | |
SPA21N50C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 21A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 재고 | - | |
IPI60R099CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP | 527 | - | |
IPD040N03LF2SATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency | 3996 | - | |
IPB054N08N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 898 | - | |
IPP65R125C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | 재고 | - | |
BSC0921NDIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | 5335 | - | |
BSS83PH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -330mA SOT-23-3 | 13160 | - | |
BSC019N04LSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | 4603 | - | |
IPD50N08S4-13FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 75/80V | 15013 | - | |
BSC090N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M | 680 | - | |
BSC024NE2LSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 2052 | - | |
IPB70P04P4-09FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -70A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | 836 | - | |
BSC030N04NSGXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
IPD050N03L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | 2429 | - | |
IPI041N12N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3 | 500 | - | |
IPG20N04S4-12FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | 22211 | - | |
IPD023N03LF2SATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency | 3980 | - | |
IPW60R125CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP | 126 | - | |
BSP149 H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | 36475 | - | |
IMDQ65R020M2HXUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 50 | - | |
IPB180N04S3-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T | 재고 | - |