BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
2N5963 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N3393 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N4402 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N3860 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 4.0pF | 재고 | - | |
CZTA94 TR PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 400Vcbo 400Vceo 6.0Vebo 300mA 2W | 재고 | - | |
2N5955 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vcev 65Vcbo 70Vcev 40W | 재고 | - | |
2N2905 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W | 재고 | - | |
MPS3708 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 재고 | - | |
2N3703 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS3415 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N5401 TRA TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | 재고 | - | |
MPS651 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 2.0A 625mW | 재고 | - | |
PN3642 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
2N3799A TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 90Vcbo 90Vceo 5.0Vebo 4.0pF | 재고 | - | |
MPSA93 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Small Signal | 1655 | - | |
2N2222 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW | 1219 | - | |
PN3567 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N4410 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,250mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS6517 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N3416 TRA TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
2N6049 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 4.0A 75W 90Vcbo 55Vceo 0.5A | 재고 | - | |
2N4400 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N5822 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 재고 | - | |
MPS3704 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | 재고 | - | |
2N3565 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vceo 30Vcbo 6.0Vebo 500mA 625mW | 372 | - |