BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
CMPT2484 TR TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN LN 60Vcbo 60Vceo 6.0Vebo | 재고 | - | |
2N4256 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
MPS8099 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
BSW68A TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 150Vcer 500mA 80MHz 35pF | 재고 | - | |
BC546B APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N4402 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | 재고 | - | |
2N5226 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 8pF | 재고 | - | |
2N3704 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 재고 | - | |
GES6017 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 70Vcbo 60Vces 5.0Vebo 500mA 15pF | 재고 | - | |
2N3799 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Low Noise Ampl | 1544 | - | |
2N6428 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 50Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW | 재고 | - | |
2N3860 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,100mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
MPS3396 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 2.0mA 10pF | 재고 | - | |
2N834A PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 30Vces 5.0Vebo 200mA 300mW | 재고 | - | |
2N6373 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vcev 65Vcer 60Vceo 40W | 재고 | - | |
MPSA44 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 400V,300mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | 재고 | - | |
2N4232A TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0A 75W | 재고 | - | |
2N3860 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,100mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N4124 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N696 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vcer 5.0Vebo 2.0W 35pF | 재고 | - | |
PN3569 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
2N6520 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | 재고 | - | |
BC337 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS8599 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
2N5679 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 4.0Vebo 1.0A 1.0W | 재고 | - |