BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
2N6313 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0A 75W | 재고 | - | |
2N6261 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 90Vcbo 80Vceo 0.5Vce | 재고 | - | |
BSX64 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 30MHz 70pF | 재고 | - | |
2N5210 APP PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | 재고 | - | |
2N3415 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS6561 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr | 2286 | - | |
BC546B TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
BCY78-VII PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W | 재고 | - | |
2N5232A TRF PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 70Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW | 재고 | - | |
2N5772 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Saturated Switch | 재고 | - | |
2N1131B TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 35Vceo 5.0Vebo 45pF | 재고 | - | |
TIP50 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 500Vcbo 400Vceo 5.0V IC 5A 40W | 재고 | - | |
MPS650 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,2A,625mW Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
PN3566 APP TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | 재고 | - | |
2N3392 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
PN3645 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N3390 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | 재고 | - | |
2N6028 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT | 재고 | - | |
PN3563 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator | 재고 | - | |
BC107A TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA 600Pd | 재고 | - | |
2N5772 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 재고 | - | |
PN3644 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
BCY78-IX PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W | 재고 | - | |
MPS6532 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | 재고 | - | |
2N2926 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,200mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - |