BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
2N3416 APP PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
PE4010 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transis tor-Small Signal (< | 재고 | - | |
2N3416 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
PN3644 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 45Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 8pF | 재고 | - | |
2N4264 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Saturated Switch | 재고 | - | |
2N6517 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | 재고 | - | |
2N4123 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW | 재고 | - | |
2N6432 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 100mA 500mW | 재고 | - | |
BC547B TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50 Vceo 800mA 625mW Trans | 1729 | - | |
BCY59 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W | 재고 | - | |
BC237B TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Trans 50Vcbo 50Vces 45Vceo 300mW | 재고 | - | |
2N3415 APP TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
MPS6521 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
2N3711 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
MPS6517 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N4410 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,250mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N6551 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 5.0A 5.0W | 재고 | - | |
CMLT5078E TR PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Dual - NPN/PNP Enhanced | 38950 | - | |
2N4424 TRA TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | 재고 | - | |
PN5143 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 20Vcbo 20Vceo 4.0Vebo 300mA 10pF | 재고 | - | |
PN4033 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1.0A 625mW | 재고 | - | |
2N5818 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 재고 | - | |
PN3566 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N4401 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MTS102 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transis tor-Small Signal (< | 재고 | - |