전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IRFU214PBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 250V, 2.2A, 2R, TO-251 | 재고 | - | |
SIDR578EP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 78A N-CH MOSFET | 9 | 1+: $2.51680 10+: $2.45760 30+: $2.41820 | |
SQJ154EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs | 30 | 1+: $0.73100 10+: $0.71460 30+: $0.70310 | |
SIR572DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 59.7A N-CH MOSFET | 1 | 1+: $1.50640 10+: $1.47190 30+: $1.44890 | |
SQA446CEJW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C AEC-Q101 | 재고 | - | |
SIA923AEDJ-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6 | 2633 | 1+: $0.23660 3000+: $0.22340 | |
SI5936DU-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 30V 6A N-Channel MOSFET, 30mR Rds(on), 2-Element, SMT | 1296 | 1+: $1.05140 10+: $0.81150 30+: $0.69330
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SQ3469EV-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET | 2854 | 1+: $0.39100 10+: $0.34660 30+: $0.32360
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SQA600CEJW-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 200 | 1+: $3.10820 10+: $2.63670 30+: $2.34260
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SQJA81EP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | 205 | - | |
SI7117DN-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | 34 | 1+: $0.24150 3000+: $0.23000 | |
SIR512DP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET | 재고 | - | |
IRFD420PBFFETs, MOSFETs | Vishay | 500V N-Channel MOSFET, 3R Rds(on), 370mA ID, DIP | 10 | - | |
IRFU9310PBFFETs, MOSFETs | Vishay | 400V 1.8A P-Channel MOSFET TO-251 7 Ohm | 3993 | 1+: $0.37130 3000+: $0.35650 | |
SI4156DY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel JFET, 30V, 24A ID, 6mR Rds(on), SOP-8 | 322 | 1+: $1.03820 10+: $0.82800 30+: $0.72280
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SQJ138ELP-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | 20 | 1+: $1.59680 10+: $1.31920 30+: $1.16640 | |
SQ4184EY-T1_GE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 3 | 1+: $1.55740 10+: $1.50810 30+: $1.47520 | |
SQJB46ELP-T1_BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs PowerPAK 8 x 8L | 2577 | 1+: $0.77210 10+: $0.69330 30+: $0.64890
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IRFIBE20GPBFFETs, MOSFETs | Vishay | 800V 1.4A N-Channel MOSFET TO-220 6.5R | 30 | 1+: $3.17880 10+: $2.82070 50+: $2.59730 | |
SIR104LDP-T1-RE3FETs, MOSFETs | Vishay | Power Field-Effect Transistor, | 5 | 1+: $1.95490 10+: $1.64770 30+: $1.45550 | |
SI9433BDY-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | P-CH MOSFET, 20V, 4.5A, 40mR RdsOn, SOP-8 | 37 | - | |
SI1869DH-T1-BE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 1.2A LOAD SWITCH W/LEVEL-SHIFT | 재고 | - | |
SIRA90DP-T1-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | MOSFETs 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ. | 8 | 1+: $2.18330 10+: $2.13560 30+: $2.10440 | |
IRFU430APBFFETs, MOSFETs | Vishay | N-Channel MOSFET, 500V, 5A, 1.7R, TO-251 | 77 | 1+: $1.81860 10+: $1.52780 30+: $1.34550 | |
SIA432DJ-T4-GE3FETs, MOSFETs | Vishay | 30V 10.1A 24mΩ@4.5V,5A 19.2W 3V@250uA 1 N-Channel PowerPAK-1212-8 ROHS | 2805 | 1+: $0.30880 10+: $0.27110 30+: $0.25300
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